芯片去氧化是指将芯片上氧化的表面层去除，以恢复其正常功能的过程。
在芯片制造过程中，芯片表面会因为长时间的暴露在空气中，与氧气发生反应而产生氧化。这层氧化层可能会对芯片的性能和功能造成负面影响。因此，需要将芯片表面的氧化层去除，以芯片的正常运作。
常见的芯片去氧化方法包括化学去氧化和物理去氧化。
化学去氧化是通过使用化学溶剂或腐蚀剂，例如酸或碱溶液，来溶解或侵蚀芯片表面的氧化层。这种方法需要的设备和操作技术，以避免对芯片造成额外的损害。
物理去氧化则是通过物理手段将氧化层从芯片表面剥离，常见的方法包括机械研磨、高压气流吹除、等离子体清洗等。这种方法相对较安全，但也需要小心操作，以避免对芯片本身造成损坏。
芯片去氧化是芯片制造过程中的一个重要步骤，可以帮助提高芯片的性能和可靠性。
